O Roundhill Memory ETF (CBOE:DRAM) valorizou cerca de 134% em dez semanas, subindo de $27,76 para $65,01. O fundo, que não é alavancado, concentra-se em três empresas dominantes do mercado de DRAM, impulsionado pela crescente demanda de inteligência artificial.
A valorização do ETF superou significativamente o desempenho do mercado amplo. No mesmo período, o SPDR S&P 500 ETF Trust (NYSEARCA:SPY) registrou um retorno de 13,2%. O fundo DRAM possui uma estrutura altamente concentrada, com Samsung Electronics (24,99%), SK hynix (24,22%) e Micron Technology (23,83%) respondendo por 73,04% dos ativos líquidos.
A mudança no comportamento do setor de memória é atribuída à alta demanda por memória de banda larga (HBM) em aceleradores de IA. Segundo relatos, cerca de 40% da demanda por DRAM provém de aplicações de IA, o que transforma o componente de memória em um insumo restrito, e não apenas uma commodity cíclica.
Apesar do desempenho expressivo, analistas apontam que o retorno futuro pode ser mecanicamente menor, pois os investidores compram as mesmas empresas a preços substancialmente mais altos do que no início do ciclo. O ciclo de commodity só termina quando a oferta alcança a demanda.
