Kioxia e SanDisk apresentaram um chip de memória flash QLC 3D que alcança taxa de 4,8 GB/s. O avanço permite a construção de unidades de estado sólido (SSD) de 1 PB, visando atender à demanda por infraestrutura de inteligência artificial em data centers.
A memória flash de 10ª geração, desenvolvida com tecnologia CMOS diretamente Bonded to Array (CBA), elevou o padrão da indústria. O chip apresenta um aumento de 60% na densidade de bits comparado à geração oitava, mantendo a eficiência energética e o desempenho.
Com densidade de 37 Gb/mm², o QLC 3D pode ser usado para montar os primeiros SSDs de 1 petabyte para servidores de data center. Embora o tamanho do chip inviabilize uso doméstico, ele se adapta a racks de 1U e 2U em centros de dados modernos.
Segundo Alper Ilkbahar, diretor de tecnologia da SanDisk, a memória redefine o desempenho e a eficiência do NAND QLC. Hideshi Miyajima, diretor de tecnologia da Kioxia, afirmou que a tecnologia QLC permite armazenar grandes volumes de dados, auxiliando a escalabilidade dos sistemas de IA.
O anúncio coloca SanDisk e Kioxia à frente de concorrentes, como a Samsung, que utiliza empilhamentos mais altos. Estima-se que um SSD de 1 PB da dupla possa ser lançado em 2027.
