As ações da SK Hynix caíram 5% na sexta-feira, após o conselho da empresa aprovar um investimento de cerca de US$ 38 bilhões para a construção de duas novas fábricas de memória na Coreia do Sul. A reação do mercado foi contida devido à grande escala do gasto de capital e ao adiamento da próxima atualização de retorno aos acionistas.
O plano de investimento da SK Hynix inclui uma planta DRAM, denominada Yongin Y2, avaliada em cerca de 35,2 trilhões de won, e uma planta NAND flash, Cheongju M17, estimada em 19,1 trilhões de won. Cerca de dois terços desse montante visa a DRAM, alinhando a capacidade à demanda impulsionada pela inteligência artificial. A gestão da SK Hynix também antecipou o cronograma do cluster de Yongin, com meta de finalizar as quatro fábricas planejadas até 2033, em vez de 2045.
A empresa declarou que 2027 pode ser o ano de maior escassez de memória da indústria, tratando a demanda como uma mudança estrutural. Em contraste, as ações da Seagate Technology caíram 7% para US$ 797,09, sem um catalisador específico, enquanto a Micron Technology registrou queda de apenas 2% para US$ 866,80.
O ETF Roundhill Memory caiu 2% para US$ 50,37, servindo como termômetro do setor. A análise aponta que a movimentação de sexta-feira reflete uma realização de lucros desigual, e não uma quebra fundamental no setor, apesar dos grandes investimentos em capacidade.
