O Roundhill Memory ETF (DRAM), um dos primeiros fundos de chips de memória listados nos EUA, enfrenta um momento crítico. O futuro do fundo depende da evolução dos preços de contratos de memória, especialmente HBM e NAND, antes do final de 2026.
O ETF DRAM concentra-se em três ações principais: Samsung Electronics (25%), SK hynix (24%) e Micron Technology (24%), representando cerca de 73% do patrimônio. A exposição geográfica é de 49% na Coreia do Sul e 38% nos Estados Unidos. A unidade de Memória em Nuvem da Micron gerou 5,28 bilhões de dólares em receita no último trimestre, com margem bruta de 66%, e seu CEO, Sanjay Mehrotra, declarou que os pedidos se estendem até 2027.
A expansão da margem bruta do segmento de datacenter da SanDisk, que subiu para 78,4% a partir de 22,5%, é atribuída majoritariamente à dinâmica de preços. Analistas indicam que, se os preços de contrato de DRAM se mantiverem estáveis por dois meses seguidos e as projeções de gastos de capital dos grandes provedores de nuvem permanecerem inalteradas, a compressão de múltiplos nas três principais ações do fundo será severa.
O fundo também possui fatores específicos, como a concentração em empresas sul-coreanas, o que o torna um proxy do won sul-coreano. Uma variação de 5% do won contra o dólar pode alterar o valor patrimonial em cerca de 2,5 pontos percentuais. Para investidores que buscam exposição direta a HBM sem a sobreposição cambial, as ações da Micron oferecem essa opção.
